एपिटैक्सी फ्रेंच अर्थ का उदाहरण

* l'épitaxie en phase liquide se fait en plongeant un substrat dans un liquide.

Lors de l'application d'un courant l'oxydant va perdre un électron (oxydation) et le réducteur va gagner un électron (réduction) ;l'épitaxie consiste à faire croître le réseau cristallin de manière orientée.

Le transistor est réalisé sur un substrat semi-isolant de GaAs sur lequel on fait croître par épitaxie ou par implantation ionique la couche active avec des impuretés de type donneur (ND ≈ 2 E17 cm-3).

Atomic layer CVD (ALCVD) – Dépôt de couches successives de différentes substances (voir épitaxie)Hot wire CVD (HWCVD) - Aussi connu sous le nom de CVD catalytique (Cat-CVD) ou CVD activé par filament chaud (HFCVD).

Ces couches tampons sont de nature différente d'une épitaxie à l'autre, mais en général, elles sont composées d'un alliage type AlGaN.

Le dépôt par pulvérisation présente aussi un avantage sur l’épitaxie par jet moléculaire [molecular beam epitaxy (MBE)] à cause de sa vitesse.

Ses travaux se rapportent aux macles, en particulier celles par action mécanique, à l'épitaxie, au polymorphisme, et surtout à l'optique cristalline, le microscope polarisant étant devenu son outil préféré.

Il existe trois grands types d'épitaxie :* l'épitaxie par phase vapeur fait réagir deux espèces gazeuses en chauffant les creusets par effet Joule.

Cette technique est très utilisée dans l'industrie en raison de sa température très faible pour Si dans le cas d'un dépôt de GaAs,* l'épitaxie par jet moléculaire se fait quant à elle en ultra-vide à basse température, environ pour GaAs.

L’épitaxie Soitec dispose d’une expertise en épitaxie des matériaux III-V dans les domaines suivants : épitaxie par jets moléculaires, épitaxie en phase vapeur aux organométalliques et épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures.