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नापाकता Meaning in French



impureté

नापाकता फ्रेंच अर्थ का उदाहरण

L'explication est la suivante : le métal magique de l'anneau contient une impureté de couleur jaune, sans laquelle l'anneau n'a aucun pouvoir.


Dans certains cas, le rendement apparent peut être supérieur à 100 % si le produit est impur, de sorte que la masse mesurée du produit inclut la masse des impuretés.


C'est le microcline perthitique qui donne la teinte bleue accusée de cette roche, déterminée par les impuretés dans ce feldspath liées à la présence de plomb.


Le nom de Samaritains devient synonyme pour eux d'hérésie et d'impureté.


) les deux forces s'entraident, s'intègrent, se vicient, se corrompent l'une l'autre, donnant vie à des impuretés fascinantes ou révoltantes.


De même, une fibre de laine blanche, une fois plongée dans une solution d’alcool benzylique, révélera clairement ses impuretés (fibres médullaires et traces de végétaux).


Traditionnellement, ceci se faisait en débouchant la bouteille et en laissant sortir les impuretés, mais de nos jours cette opération est faite en congelant le col et en sortant le bloc de glace ainsi produit, qui contient les impuretés.


Ces modèles décrivent des matériaux dans lesquels des impuretés magnétiques ont été diluées dans un métal.


Cependant, la diffraction X étant peu sensible à la nature chimique des espèces, on peut avoir un diffractogramme semblable à une fiche de produit non pur, bien que l'impureté dans notre produit soit différente de l'impureté du produit de la fiche.


Ensuite, on crée une fenêtre en enlevant l'oxyde dans une zone en forme de cadre, puis on diffuse vers des impuretés (accepteurs d'électrons) jusqu'à ce que les zones p se propageant dans le cristal traversent la couche épitaxiale de type n.


Le cohen des ères biblique et antique a pour tâche d'assurer le culte du Temple et l'offrande des sacrifices, la bénédiction du peuple d'Israël, l'évaluation des marques soupçonnées de conférer l'impureté, et l'application de la loi divine.


Le transistor est réalisé sur un substrat semi-isolant de GaAs sur lequel on fait croître par épitaxie ou par implantation ionique la couche active avec des impuretés de type donneur (ND ≈ 2 E17 cm-3).



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