ट्रांजिस्टर-से फ्रेंच अर्थ का उदाहरण

Au cours des deux décennies suivantes, la mise au point du transistor, qui remplace progressivement le tube à vide, va permettre de faire passer la capacité des câbles à plusieurs milliers de communications simultanées.

La capacité d'entrée du transistor est faible (quelques picofarads).

Quelle va être la température de la jonction du transistor de puissance du régulateur à de température ambiante ?Puissance dissipée dans le régulateur : I × (différence de potentiel entre l'entrée et la sortie du régulateur), soit .

Une très petite variation de la tension induit une grande variation du courant(la transconductance du transistor bipolaire est très supérieure à celle des transistors à effet de champ).

Le fait de pouvoir déposer le silicium, élément fondamental du transistor, ouvre la possibilité de fabriquer des TCMs sur de grandes surfaces, une capacité de production à haut débit et à un coût compatible avec la fabrication d'applications grand public.

Ce modèle permet de décrire le comportement du transistor autour de son point de polarisation.

(1-Vgs/Vp)/Vp où Idss est le courant de saturation du transistor, Vgs la différence de potentiel continue entre grille et source, Vp la tension de pincement (tension au-delà de laquelle le transistor est bloqué).

Le β du transistor illustré vaut 100.

Plus elle est élevée, et plus le gain du transistor sera grand.

La pente (ou transconductance) du transistor est le rapport gI_{DS}/U_{GS}.