गैलियम इसके अंग्रेजी अर्थ का उदाहरण

At temperatures above ~900"nbsp;°C, gallium phosphide dissociates and the phosphorus escapes as a gas.

Related to this property, maltol has been reported to greatly increase aluminum uptake in the body and to increase the oral bioavailability of gallium and iron.

The Broken Wing (disambiguation) Gallium arsenide phosphide (1−xx) is a semiconductor material, an alloy of gallium arsenide and gallium phosphide.

This enables the use of cells with a high cost per unit area (such as gallium arsenide) in a cost-effective way.

Goldschmidt also synthesized gallium phosphide and gallium arsenide.

Gadolinium gallium garnet.

Terbium gallium garnet.

Comarcas of Asturias Aluminium gallium phosphide, (Al,Ga)P, a phosphide of aluminium and gallium, is a semiconductor material.

University of Michigan College of Literature, Science, and the Arts alumni Aluminium gallium indium phosphide (, also AlInGaP, InGaAlP, GaInP, etc.

Casey Urlacher (born 1979), American football player, brother of Brian Aluminium gallium nitride (AlGaN) is a semiconductor material.

Some materials used (especially gallium phosphate or tourmaline) are extremely stable at high temperatures, enabling sensors to have a working range of up to .

Relocated schools Gallium phosphide (), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.

As the diagram on the right shows, the gallium (Ga+) primary ion beam hits the sample surface and sputters a small amount of material, which leaves the surface as either secondary ions (i+ or i−) or neutral atoms (n0).

Indium arsenide is similar to gallium arsenide and is a direct bandgap material.

गैलियम हिंदी उपयोग और उदाहरण

गैलियम की अनूठी गलनांक यह मनुष्य के हाथ में पिघल, और उसके बाद अगर हटा दिया refreeze अनुमति देता है।

1033 [25] गैलियम हाइड्रोक्साइड, जो उभयधर्मी है, भी gallate लवण के लिए फार्म क्षार [20] घुल: 141 हालांकि पहले काम का सुझाव दिया गा (OH) 3।

104 यह हाइड्रोजन सल्फाइड के साथ गैलियम की प्रतिक्रिया से बनाया जा सकता है (एच।

इसकी संरचना diborane के समान है, होने दो हाइड्रोजन परमाणुओं दो गैलियम केन्द्रों ब्रिजिंग, [24]: 1031 α-एएलएच के विपरीत।

गैलियम sphalerite के एक नमूने में इसकी विशेषता स्पेक्ट्रम से 1875 में फ्रांसीसी रसायनज्ञ पॉल एमिल Lecoq डी Boisbaudran द्वारा स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग (दो बैंगनी लाइनों) की खोज की थी।

विशाल अणुकणिका रसायन शास्त्र गैलियम आर्सेनाइड (Gallium arsenide / GaAs), एक रासायनिक यौगिक है जो गल्लियम और आर्सैनिक तत्त्वों से मिलकर बनता है।

"" [12] पारा, तरल गैलियम धातु wets कांच और त्वचा, सबसे अन्य सामग्री के साथ-साथ (क्वार्ट्ज, ग्रेफाइट, और Teflon के अपवाद के साथ), यह यंत्रवत् अधिक मुश्किल को संभालने के लिए भले ही यह काफी कम विषैला होता है और बनाने के विपरीत अब तक कम सावधानियों की आवश्यकता है।

इस प्रकार यद्यपि बोरान और एल्यूमिनियम हैं सार्वभौमिक त्रिसंयोजक, गैलियम, ईण्डीयुम और थालीयुम् + 1 राज्य के रूप में प्रदर्शन अच्छी तरह से।

अलग क्रिस्टल कुल्हाड़ियों [14] गुण एक बी सी के लिए गैलियम के गुण।

पिघल से गैलियम के क्रिस्टलीकरण।

GaAs का उपयोग प्रायः अन्य III-V अर्धचालकों के एपितैक्सियल विकास के लिए सबस्ट्रेट पदार्थ के रूप में होता है, जैसे इंडियम गैलियम आर्सेनाइड, एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड आदि।

""गैलियम (तृतीय) ऑक्साइड ऐसी एचएफ या एफ के रूप में fluorinating एजेंटों के साथ प्रतिक्रिया करता है।

Mendeleev के 1871 भविष्यवाणियों और गैलियम के ज्ञात गुण [31] गुण Mendeleev भविष्यवाणियों वास्तविक गुणों के बीच तुलना।