आर्सेनाइड हिंदी उपयोग और उदाहरण

इंडियम के समास, जैसे इंडियम आर्सेनाइड, इंडियम एन्टिमोनाइड और इंडियम फॉस्फाइड, का भी प्रयोग एल-ई-डी और ठोस अवस्था लेसर डायोड मे हो रहा है।

ईण्डीयुम आर्सेनाइड -- InAs।

"" इसे किसी धातु आर्सेनाइड पर अम्ल की क्रिया से प्राप्त करते हैं।

गैलियम आर्सेनाइड से बहुत सी युक्तियाँ बनायी जातीं हैं, जैसे माइक्रोवेव आवृत्ति पर काम करने वाले एकीकृत परिपथ (IC), मोनोलिथिक माइक्रोवेव एकीकृत परिपथ, अवरक्त प्रकाश उत्सर्जक डायोड, लेज़र डायोड, सौर सेल, तथा प्रकाशीय खिड़कियाँ।

GaAs का उपयोग प्रायः अन्य III-V अर्धचालकों के एपितैक्सियल विकास के लिए सबस्ट्रेट पदार्थ के रूप में होता है, जैसे इंडियम गैलियम आर्सेनाइड, एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड आदि।

सिलिकॉन, जर्मेनियम और गैलिअम आर्सेनाइड मुख्य अर्धचालक पदार्थ हैं।

(आपेक्षिक प्रतिरोध प्रायः 10-5 से 108 ओम-मीटर के बीच) सिलिकॉन, जर्मेनियम, कैडमियम सल्फाइड, गैलियम आर्सेनाइड इत्यादि अर्धचालक पदार्थों के कुछ उदाहरण हैं।

CA(H2PO4)2+H2C2O4→CaC2O4↓+2HPH2 O2 इण्डियम आर्सेनाइड एक अर्धचालक (सेमिकन्डक्टर) पदार्थ है।

इस अर्धचालक लेजर डायोड (laser diode) की अवधारणा बसोव और जावन ने प्रस्तावित किया था Iपहले लेजर डायोड का प्रदर्शन1962 में रॉबर्ट एन. हॉल (Robert N. Hall) ने किया I हॉल का उपकरण गैलियम आर्सेनाइड से बना था जो बनाया गया था और -अवरक्त स्पेक्ट्रम के क्षेत्र में 850 एनएम के पास पर उत्सर्जित था।

1960 के दशक के गैलियम के अनुप्रयोगों में सबसे महत्वपूर्ण चरण की शुरुआत में एक प्रत्यक्ष बैंड अंतराल अर्धचालक के रूप में गैलियम आर्सेनाइड के विकास।

गैलियम फास्फाइड (जीएपी), गैलियम आर्सेनाइड (GaAs), और गैलियम antimonide (gasb): गैलियम भी फास्फोरस, आर्सेनिक, और सुरमा के साथ बाइनरी यौगिकों रूपों।

विशाल अणुकणिका रसायन शास्त्र गैलियम आर्सेनाइड (Gallium arsenide / GaAs), एक रासायनिक यौगिक है जो गल्लियम और आर्सैनिक तत्त्वों से मिलकर बनता है।

गैलिअम आर्सेनाइड (GaAs) का प्रयोग भी व्यापक है अतिवेगशाली युक्तियों के निर्माण में, मगर इस पदार्थ के चौडे बउल नही बन पाते, जिसके कारण सिलिकॉन की तुलना में गैलिअम आर्सेनाइड से अर्धचालक युक्तियों को बनाना मेहंगा पडता है।

आर्सेनाइड इसके अंग्रेजी अर्थ का उदाहरण

The APG-79 AESA uses transmit/receive (TR) modules populated with Gallium arsenide Monolithic microwave integrated circuits.

Indium gallium arsenide.

Infrared-sensitive materials commonly used in IR detector arrays include mercury cadmium telluride (HgCdTe, "MerCad", or "MerCadTel"), indium antimonide (InSb, pronounced "Inns-Bee"), indium gallium arsenide (InGaAs, pronounced "Inn-Gas"), and vanadium(V) oxide (VOx, pronounced "Vox").

The MTA-2 was an attempt to correct these problems while maintaining essentially the same processor architecture respun in one silicon ASIC, down from some 26 gallium arsenide ASICs in the original MTA; and while regressing the network design from a 4-D torus topology to a less efficient but more scalable Cayley graph topology.

For example, gallium arsenide, aluminium gallium arsenide, and aluminium arsenide have almost equal lattice constants, making it possible to grow almost arbitrarily thick layers of one on the other one.

9"nbsp;eV can be grown on gallium arsenide wafers with index grading.

Transport in Ceylon Aluminium arsenide or aluminum arsenide () is a semiconductor material with almost the same lattice constant as gallium arsenide and aluminium gallium arsenide and wider band gap than gallium arsenide.

() can form a superlattice with gallium arsenide () which results in its semiconductor properties.

Aluminum arsenide is a III-V compound semiconductor material and is an advantageous material for the manufacture of optoelectronic devices, such as light emitting diodes.

Aluminum arsenide can be prepared using well-known methods, such as liquid and vapor-phase epitaxy techniques or melt-growth techniques.

However, aluminum arsenide crystals prepared by these methods are generally unstable and generate arsine (AsH3) when exposed to moist air.

Little work has been reported on the preparation of aluminum arsenide, mainly because of the practical difficulties involved.